镓特半导体科技（上海）有限公司（简称“镓特半导体”）成立于2015年4月27日, 注册资金8045.27万元。近日,镓特半导体已向全球发售4英寸自支撑氮化镓衬底。镓特使用自主研发的HVPE设备生长GaN衬底，攻克了GaN高质量生长工艺、高良率剥离工艺、低成本研磨抛光工艺等关键技术，完成了中试开发，具备了量产4英寸自支撑GaN衬底的能力。镓特从设备到外延工艺全流程均具有自主知识产权，其中HVPE设备已经更新至第6代机型，目前已经申请专利51项，并获得高新技术企业认证。
镓特半导体主要从事半导体、新材料科技领域内的技术开发、技术服务、技术咨询、技术转让、半导体材料、机械设备的销售、从事货物及技术的进出口业务。公司主要产品为大尺寸、高质量、低成本GaN衬底和GaN衬底生产关键设备HVPE。
公司研发团队由材料生长及芯片设计领域资深留美博士团队创立， 包括多名来自美国，中国大陆，中国台湾等各地顶尖学府的博士，各自拥有扎实的专业技术和丰富的管理经验，目前公司拥有博士 4 名、硕士 6 名、本科 10 名。
镓特半导体科技通过自主研发，已开发出具有高均匀性温度场和气流场的HVPE设备，完成了高质量自支撑4英寸GaN衬底材料的技术和知识产权储备，掌握了厚膜GaN生长的应力控制技术和100 %GaN自剥离技术，具备了4英寸高质量GaN衬底材料的产业化基础，4英寸GaN月产能超过125片/月，国内主要销售对象包括研发机构、科研院所、国内外公司等，突破了国外对我国高端第三代半导体材料的技术封锁。
未来几年内，镓特半导体将建成全球最大的氮化镓衬底生长基地， 以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用。与此同时，在战略发展方面，镓特半导体将依托高质量自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及微波射频器件器件的研发和制造，从而推动整个产业链发展的长期规划。
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